台积电宣布 4 纳米制程技术将于第三季度提前试产，3 纳米明年下半年量产

IT之家6月2日消息据中国台湾经济日报报道，晶圆代工龙头台积电今日举办2021年技术论坛，并宣布4纳米制程技术预计2021年第3季开始试产，较先前规划提早一季时间，3纳米制程则将依计划于2022年下半年量产。

今年是台积电连续第二年采用线上形式举行技术论坛，与客户分享台积公司最新的技术发展，包括支持下一世代5G智能手机与WiFi6/6e效能的N6RF制程、支持最先进汽车应用的N5A制程、以及3DFabric系列技术的强化版。

台积电在这次的技术论坛会中揭示先进逻辑技术、特殊技术、以及3DFabric先进封装与晶片堆叠技术之最新创新成果，今年共计超过5,000位来自全球各地的客户与技术伙伴注册参与6月1至2日举行的线上技术论坛。

台积电在今年的技术论坛上，介绍了N5（5纳米）、N4（4纳米）、N5A（5纳米A）、以及N3（3纳米）制程技术的情况。台积电指出，自2020年领先业界量产5纳米技术，其良率提升的速度较前一世代的7纳米技术更快。而N5家族之中的N4加强版借由减少光罩层，以及与N5几近相容的设计法则，进一步提升了效能、功耗效率、以及电晶体密度。

台积电指出，自从在2020年台积公司技术论坛公布之后，N4的开发进度相当顺利，预计于2021年第3季开始试产。

台积电也推出了5纳米家族的最新成员－N5A制程，目标在于满足更新颖且更强化的汽车应用对于运算能力日益增加的需求，例如支持人工智能的驾驶辅助及数字车辆座舱。

台积电表示，N5A将现今超级电脑使用的相同技术带入车辆之中，搭载N5的运算效能、功耗效率、以及逻辑密度，同时符合AEC-Q100Grade2严格的品质与可靠性要求，以及其他汽车安全与品质的标准。

IT之家了解到，台积电的N3技术预定于2022年下半年开始量产时将成为全球最先进的逻辑技术。N3凭借着可靠的FinFET电晶体架构，支持最佳的效能、功耗效率、以及成本效益，相较于N5技术，其速度增快15%，功耗降低达30%，逻辑密度增加达70%。